0 0 0
  8. STP55NF06FP

Транзистори з каналом N THT STP55NF06FP

 
STP55NF06FP
 
STMicroelectronics
Артикул: 080083
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 60В; 35А; 30Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
77.36 грн
3+
57.98 грн
10+
46.02 грн
25+
39.23 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 839 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
35А(1441492)
Опір в стані провідності
18мОм(1441559)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
30Вт(1507542)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
STripFET™ II(1714015)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,687 g
 
Транзистори з каналом N THT STP55NF06FP
STMicroelectronics
Артикул: 080083
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 60В; 35А; 30Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
77.36 грн
3+
57.98 грн
10+
46.02 грн
25+
39.23 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 839 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
35А
Опір в стані провідності
18мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
30Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
STripFET™ II
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,687 g