0 0 0
  8. STP65N045M9

Транзистори з каналом N THT STP65N045M9

 
STP65N045M9
 
STMicroelectronics
Артикул: 791907
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M9; польовий; 650В; 35А; Idm: 170А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
807.24 грн
2+
643.57 грн
5+
607.81 грн
50+
599.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
35А(1441492)
Опір в стані провідності
45мОм(1441266)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
245Вт(1741925)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
80нКл(1479275)
Технологія
MDmesh™ M9(1952776)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
170А(1789213)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP65N045M9
STMicroelectronics
Артикул: 791907
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M9; польовий; 650В; 35А; Idm: 170А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
807.24 грн
2+
643.57 грн
5+
607.81 грн
50+
599.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
35А
Опір в стані провідності
45мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
245Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
80нКл
Технологія
MDmesh™ M9
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
170А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g