0 0 0
  8. STP65N150M9

Транзистори з каналом N THT STP65N150M9

 
STP65N150M9
 
STMicroelectronics
Артикул: 791911
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M9; польовий; 650В; 12,5А; Idm: 60А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
398.85 грн
3+
358.33 грн
4+
274.91 грн
10+
259.81 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
12,5А(1441293)
Опір в стані провідності
0,15Ом(1492413)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
140Вт(1740827)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
32нКл(1479130)
Технологія
MDmesh™ M9(1952776)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
60А(1741654)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP65N150M9
STMicroelectronics
Артикул: 791911
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M9; польовий; 650В; 12,5А; Idm: 60А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
398.85 грн
3+
358.33 грн
4+
274.91 грн
10+
259.81 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
12,5А
Опір в стані провідності
0,15Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
140Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
32нКл
Технологія
MDmesh™ M9
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
60А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g