0 0 0
  8. STP6N62K3

Транзистори з каналом N THT STP6N62K3

 
STP6N62K3
 
STMicroelectronics
Артикул: 080096
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH3™; польовий; 620В; 3А; 30Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
67.79 грн
3+
61.65 грн
10+
54.23 грн
22+
46.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
620В(1609987)
Струм стока
3А(1441397)
Опір в стані провідності
1,2Ом(1441394)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
30Вт(1507542)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
SuperMESH3™(1827838)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,953 g
 
Транзистори з каналом N THT STP6N62K3
STMicroelectronics
Артикул: 080096
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH3™; польовий; 620В; 3А; 30Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
67.79 грн
3+
61.65 грн
10+
54.23 грн
22+
46.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
620В
Струм стока
3А
Опір в стані провідності
1,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
30Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
SuperMESH3™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,953 g