0 0 0
  8. STP6N80K5

Транзистори з каналом N THT STP6N80K5

 
STP6N80K5
 
STMicroelectronics
Артикул: 436918
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 800В; 2,8А; Idm: 18А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
130.64 грн
12+
88.42 грн
31+
83.64 грн
1000+
82.84 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
2,8А(1602409)
Опір в стані провідності
1,6Ом(1501020)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
85Вт(1618986)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
13нКл(1479038)
Технологія
SuperMESH5™(1827829)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
18А(1741667)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,96 g
 
Транзистори з каналом N THT STP6N80K5
STMicroelectronics
Артикул: 436918
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 800В; 2,8А; Idm: 18А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
130.64 грн
12+
88.42 грн
31+
83.64 грн
1000+
82.84 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
2,8А
Опір в стані провідності
1,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
85Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
13нКл
Технологія
SuperMESH5™
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
18А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,96 g