0 0 0
  8. STP7NK80ZFP

Транзистори з каналом N THT STP7NK80ZFP

 
STP7NK80ZFP
 
STMicroelectronics
Артикул: 080110
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,3А; 30Вт; TO220FP
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
144.36 грн
3+
130.00 грн
10+
102.09 грн
27+
96.50 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 167 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
3,3А(1492298)
Опір в стані провідності
1,8Ом(1441406)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
30Вт(1507542)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
SuperMesh™(1710456)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,68 g
 
Транзистори з каналом N THT STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
Артикул: 080110
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,3А; 30Вт; TO220FP
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
144.36 грн
3+
130.00 грн
10+
102.09 грн
27+
96.50 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 167 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
3,3А
Опір в стані провідності
1,8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
30Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
SuperMesh™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,68 g