0 0 0
  8. STP8NK100Z

Транзистори з каналом N THT STP8NK100Z

 
STP8NK100Z
 
STMicroelectronics
Артикул: 080120
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1000В; 4,3А; 160Вт; TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
173.36 грн
3+
155.78 грн
9+
119.83 грн
23+
113.44 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 29 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
1кВ(1441405)
Струм стока
4,3А(1441593)
Опір в стані провідності
1,85Ом(1638684)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
160Вт(1701927)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
SuperMesh™(1710456)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,957 g
 
Транзистори з каналом N THT STP8NK100Z
STMicroelectronics
Артикул: 080120
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1000В; 4,3А; 160Вт; TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
173.36 грн
3+
155.78 грн
9+
119.83 грн
23+
113.44 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 29 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
1кВ
Струм стока
4,3А
Опір в стані провідності
1,85Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
160Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
SuperMesh™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,957 g