0 0 0
  8. STP9NK60ZFP

Транзистори з каналом N THT STP9NK60ZFP

 
STP9NK60ZFP
 
STMicroelectronics
Артикул: 080127
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4,4А; 30Вт; TO220FP
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
85.34 грн
10+
77.36 грн
16+
61.41 грн
44+
58.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 100 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
4,4А(1441573)
Опір в стані провідності
0,95Ом(1492414)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
30Вт(1507542)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
SuperMesh™(1710456)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,694 g
 
Транзистори з каналом N THT STP9NK60ZFP
STMicroelectronics
Артикул: 080127
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4,4А; 30Вт; TO220FP
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
85.34 грн
10+
77.36 грн
16+
61.41 грн
44+
58.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 100 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
4,4А
Опір в стані провідності
0,95Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
30Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
SuperMesh™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,694 g