0 0 0
  8. STR2P3LLH6

Транзистори з каналом P SMD STR2P3LLH6

 
STR2P3LLH6
 
STMicroelectronics
Артикул: 510581
Транзистор: P-MOSFET; STripFET™; польовий; -30В; -1,2А; Idm: -8А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
35.85 грн
50+
26.29 грн
61+
16.57 грн
166+
15.69 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2980 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-1,2А(1610032)
Опір в стані провідності
90мОм(1479066)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
0,35Вт(1701891)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
6нКл(1479087)
Технологія
STripFET™(1827831)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-8А(1741671)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,024 g
 
Транзистори з каналом P SMD STR2P3LLH6
STMicroelectronics
Артикул: 510581
Транзистор: P-MOSFET; STripFET™; польовий; -30В; -1,2А; Idm: -8А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
35.85 грн
50+
26.29 грн
61+
16.57 грн
166+
15.69 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2980 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-1,2А
Опір в стані провідності
90мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,35Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
6нКл
Технологія
STripFET™
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-8А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,024 g