0 0 0
  8. STS5P3LLH6

Транзистори з каналом P SMD STS5P3LLH6

 
STS5P3LLH6
 
STMicroelectronics
Артикул: 439216
Транзистор: P-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; -30В; -3,2А; 2,7Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
65.15 грн
5+
57.21 грн
23+
44.49 грн
61+
42.11 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-3,2А(1492401)
Опір в стані провідності
56мОм(1479311)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
2,7Вт(1741762)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
STripFET™ H6(1823387)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-20А(1741687)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD STS5P3LLH6
STMicroelectronics
Артикул: 439216
Транзистор: P-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; -30В; -3,2А; 2,7Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
65.15 грн
5+
57.21 грн
23+
44.49 грн
61+
42.11 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-3,2А
Опір в стані провідності
56мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
2,7Вт
Поляризація
польовий
Технологія
STripFET™ H6
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-20А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g