0 0 0
  8. STW11NK90Z

Транзистори з каналом N THT STW11NK90Z

 
STW11NK90Z
 
STMicroelectronics
Артикул: 400312
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 5,8А; Idm: 36,8А; 200Вт; TO247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
224.49 грн
3+
202.92 грн
7+
155.78 грн
18+
147.00 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 52 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруга сток-джерело
900В(1441403)
Струм стока
5,8А(1441377)
Опір в стані провідності
980мОм(1694862)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
200Вт(1701925)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
SuperMesh™(1710456)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
36,8А(1810061)
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,51 g
 
Транзистори з каналом N THT STW11NK90Z
STMicroelectronics
Артикул: 400312
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 5,8А; Idm: 36,8А; 200Вт; TO247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
224.49 грн
3+
202.92 грн
7+
155.78 грн
18+
147.00 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 52 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруга сток-джерело
900В
Струм стока
5,8А
Опір в стані провідності
980мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
200Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
SuperMesh™
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
36,8А
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,51 g