Транзистори з каналом N THT STW13NK100Z

 
STW13NK100Z
 
Артикул: 080147
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1000В; 8,2А; 350Вт; TO247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
581.90 грн
3+
425.02 грн
7+
401.84 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруга сток-джерело
1кВ(1441405)
Струм стока
8,2А(1492461)
Опір в стані провідності
0,56Ом(1596286)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
350Вт(1701906)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
SuperMesh™(1710456)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,51 g
 
Транзистори з каналом N THT STW13NK100Z
STMicroelectronics
Артикул: 080147
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1000В; 8,2А; 350Вт; TO247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
581.90 грн
3+
425.02 грн
7+
401.84 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруга сток-джерело
1кВ
Струм стока
8,2А
Опір в стані провідності
0,56Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
350Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
SuperMesh™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,51 g