0 0 0
  8. STW15N80K5

Транзистори з каналом N THT STW15N80K5

 
STW15N80K5
 
STMicroelectronics
Артикул: 080150
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 800В; 8,8А; 190Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
383.76 грн
3+
344.82 грн
4+
266.17 грн
11+
251.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 27 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
8,8А(1628408)
Опір в стані провідності
0,3Ом(1492261)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
190Вт(1740822)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
SuperMESH5™(1827829)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,493 g
 
Транзистори з каналом N THT STW15N80K5
STMicroelectronics
Артикул: 080150
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 800В; 8,8А; 190Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
383.76 грн
3+
344.82 грн
4+
266.17 грн
11+
251.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 27 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
8,8А
Опір в стані провідності
0,3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
190Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
SuperMESH5™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,493 g