0 0 0
  8. STW18N60DM2

Транзистори з каналом N THT STW18N60DM2

 
STW18N60DM2
 
STMicroelectronics
Артикул: 080154
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 7,6А; 90Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
203.40 грн
8+
135.86 грн
21+
128.71 грн
120+
127.92 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
7,6А(1479167)
Опір в стані провідності
0,26Ом(1596288)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
90Вт(1701929)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
MDmesh™ DM2(1827827)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,5 g
 
Транзистори з каналом N THT STW18N60DM2
STMicroelectronics
Артикул: 080154
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 7,6А; 90Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
203.40 грн
8+
135.86 грн
21+
128.71 грн
120+
127.92 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
7,6А
Опір в стані провідності
0,26Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
90Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
MDmesh™ DM2
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,5 g