0 0 0
  8. STW28N60DM2

Транзистори з каналом N THT STW28N60DM2

 
STW28N60DM2
 
STMicroelectronics
Артикул: 400315
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 650В; 14А; Idm: 84А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
262.07 грн
3+
235.78 грн
6+
191.18 грн
15+
180.82 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
14А(1441298)
Опір в стані провідності
0,16Ом(1492490)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
170Вт(1740761)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
MDmesh™ DM2(1827827)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
84А(1758593)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори з каналом N THT STW28N60DM2
STMicroelectronics
Артикул: 400315
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 650В; 14А; Idm: 84А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
262.07 грн
3+
235.78 грн
6+
191.18 грн
15+
180.82 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
14А
Опір в стані провідності
0,16Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
170Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
MDmesh™ DM2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
84А
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g