0 0 0
  8. STW50N65DM6

Транзистори з каналом N THT STW50N65DM6

 
STW50N65DM6
 
STMicroelectronics
Артикул: 606176
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; польовий; 650В; 21А; Idm: 120А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
711.89 грн
2+
504.52 грн
3+
503.73 грн
6+
476.72 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
21А(1441374)
Опір в стані провідності
91мОм(1801463)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
250Вт(1701928)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
52,5нКл(1913300)
Технологія
MDmesh™ DM6(1827836)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
120А(1741681)
Додаткова інформація: Маса брутто: 4 g
 
Транзистори з каналом N THT STW50N65DM6
STMicroelectronics
Артикул: 606176
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; польовий; 650В; 21А; Idm: 120А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
711.89 грн
2+
504.52 грн
3+
503.73 грн
6+
476.72 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
21А
Опір в стані провідності
91мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
250Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
52,5нКл
Технологія
MDmesh™ DM6
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
120А
Додаткова інформація: Маса брутто: 4 g