0 0 0
  8. STW58N60DM2AG

Транзистори з каналом N THT STW58N60DM2AG

 
STW58N60DM2AG
 
STMicroelectronics
Артикул: 542405
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 31А; Idm: 200А; 360Вт; TO247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
818.36 грн
2+
616.55 грн
5+
582.39 грн
600+
560.93 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
31А(1441516)
Опір в стані провідності
52мОм(1479252)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
360Вт(1702121)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
90нКл(1479429)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
200А(1741656)
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g
 
Транзистори з каналом N THT STW58N60DM2AG
STMicroelectronics
Артикул: 542405
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 31А; Idm: 200А; 360Вт; TO247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
818.36 грн
2+
616.55 грн
5+
582.39 грн
600+
560.93 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
31А
Опір в стані провідності
52мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
360Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
90нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
200А
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g