0 0 0
  8. STW58N65DM2AG

Транзистори з каналом N THT STW58N65DM2AG

 
STW58N65DM2AG
 
STMicroelectronics
Артикул: 542406
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 30А; Idm: 150А; 360Вт; TO247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
898.61 грн
2+
676.14 грн
5+
639.59 грн
600+
614.96 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
30А(1441514)
Опір в стані провідності
58мОм(1479055)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
360Вт(1702121)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
88нКл(1479485)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
150А(1758586)
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g
 
Транзистори з каналом N THT STW58N65DM2AG
STMicroelectronics
Артикул: 542406
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 30А; Idm: 150А; 360Вт; TO247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
898.61 грн
2+
676.14 грн
5+
639.59 грн
600+
614.96 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
30А
Опір в стані провідності
58мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
360Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
88нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
150А
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g