0 0 0
  8. STW65N60DM6

Транзистори з каналом N THT STW65N60DM6

 
STW65N60DM6
 
STMicroelectronics
Артикул: 606230
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; польовий; 600В; 29А; Idm: 140А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
695.21 грн
2+
511.67 грн
6+
483.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
29А(1479295)
Опір в стані провідності
71мОм(1702171)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
368Вт(1905983)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
65,2нКл(1913301)
Технологія
MDmesh™ DM6(1827836)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
140А(1759379)
Додаткова інформація: Маса брутто: 4 g
 
Транзистори з каналом N THT STW65N60DM6
STMicroelectronics
Артикул: 606230
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; польовий; 600В; 29А; Idm: 140А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
695.21 грн
2+
511.67 грн
6+
483.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
29А
Опір в стані провідності
71мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
368Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
65,2нКл
Технологія
MDmesh™ DM6
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
140А
Додаткова інформація: Маса брутто: 4 g