0 0 0
  8. STW70N60M2-4

Транзистори з каналом N THT STW70N60M2-4

 
STW70N60M2-4
 
STMicroelectronics
Артикул: 606178
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 43А; Idm: 272А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
969.32 грн
2+
711.10 грн
4+
672.17 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
43А(1479345)
Опір в стані провідності
40мОм(1441515)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
450Вт(1701922)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
118нКл(1693690)
Технологія
MDmesh™ M2(1827843)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
272А(1823206)
Додаткова інформація: Маса брутто: 4 g
 
Транзистори з каналом N THT STW70N60M2-4
STMicroelectronics
Артикул: 606178
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 43А; Idm: 272А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
969.32 грн
2+
711.10 грн
4+
672.17 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
43А
Опір в стані провідності
40мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
450Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
118нКл
Технологія
MDmesh™ M2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
272А
Додаткова інформація: Маса брутто: 4 g