Транзистори з каналом N THT STWA30N65DM6AG

 
STWA30N65DM6AG
 
Артикул: 606234
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; польовий; 650В; 18А; Idm: 112А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
475.13 грн
3+
347.21 грн
8+
328.14 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
18А(1479247)
Опір в стані провідності
0,11Ом(1459327)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Використання
automotive industry(1821825)
Потужність розсіювання
284Вт(1742144)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
46нКл(1479438)
Технологія
MDmesh™ DM6(1827836)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
112А(1812410)
Додаткова інформація: Маса брутто: 4 g
 
Транзистори з каналом N THT STWA30N65DM6AG
STMicroelectronics
Артикул: 606234
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; польовий; 650В; 18А; Idm: 112А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
475.13 грн
3+
347.21 грн
8+
328.14 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
18А
Опір в стані провідності
0,11Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Використання
automotive industry
Потужність розсіювання
284Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
46нКл
Технологія
MDmesh™ DM6
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
112А
Додаткова інформація: Маса брутто: 4 g