0 0 0
  8. STWA32N65DM6AG

Транзистори з каналом N THT STWA32N65DM6AG

 
STWA32N65DM6AG
 
STMicroelectronics
Артикул: 606235
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; польовий; 650В; 23А; Idm: 120А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
560.93 грн
3+
396.47 грн
7+
375.02 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
23А(1479277)
Опір в стані провідності
97мОм(1520447)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Використання
automotive industry(1821825)
Потужність розсіювання
320Вт(1520848)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
52,6нКл(1913302)
Технологія
MDmesh™ DM6(1827836)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
120А(1741681)
Додаткова інформація: Маса брутто: 4 g
 
Транзистори з каналом N THT STWA32N65DM6AG
STMicroelectronics
Артикул: 606235
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; польовий; 650В; 23А; Idm: 120А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
560.93 грн
3+
396.47 грн
7+
375.02 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
23А
Опір в стані провідності
97мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Використання
automotive industry
Потужність розсіювання
320Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
52,6нКл
Технологія
MDmesh™ DM6
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
120А
Додаткова інформація: Маса брутто: 4 g