0 0 0
  8. STWA40N90K5

Транзистори з каналом N THT STWA40N90K5

 
STWA40N90K5
 
STMicroelectronics
Артикул: 400319
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 25А; Idm: 160А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 136.22 грн
2+
780.21 грн
4+
737.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруга сток-джерело
900В(1441403)
Струм стока
25А(1441383)
Опір в стані провідності
99мОм(1599114)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
446Вт(1741744)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
MDmesh™ K5(1827826)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
160А(1741661)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори з каналом N THT STWA40N90K5
STMicroelectronics
Артикул: 400319
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 25А; Idm: 160А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 136.22 грн
2+
780.21 грн
4+
737.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруга сток-джерело
900В
Струм стока
25А
Опір в стані провідності
99мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
446Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
MDmesh™ K5
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
160А
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g