0 0 0
  8. STWA50N65DM2AG

Транзистори з каналом N THT STWA50N65DM2AG

 
STWA50N65DM2AG
 
STMicroelectronics
Артикул: 542430
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 650В; 24А; Idm: 110А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
643.75 грн
3+
476.44 грн
6+
450.94 грн
600+
432.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
24А(1441564)
Опір в стані провідності
70мОм(1441497)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Використання
automotive industry(1821825)
Потужність розсіювання
300Вт(1701911)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
69нКл(1479387)
Технологія
MDmesh™ DM2(1827827)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
110А(1758590)
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g
 
Транзистори з каналом N THT STWA50N65DM2AG
STMicroelectronics
Артикул: 542430
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 650В; 24А; Idm: 110А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
643.75 грн
3+
476.44 грн
6+
450.94 грн
600+
432.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
24А
Опір в стані провідності
70мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Використання
automotive industry
Потужність розсіювання
300Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
69нКл
Технологія
MDmesh™ DM2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
110А
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g