0 0 0
  8. STWA67N60M6

Транзистори з каналом N THT STWA67N60M6

 
STWA67N60M6
 
STMicroelectronics
Артикул: 542432
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 33А; Idm: 200А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
638.80 грн
3+
427.45 грн
7+
404.41 грн
600+
401.24 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
33А(1479307)
Опір в стані провідності
45мОм(1441266)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
330Вт(1701960)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
72,5нКл(1906018)
Технологія
MDmesh™ M6(1827833)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
200А(1741656)
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g
 
Транзистори з каналом N THT STWA67N60M6
STMicroelectronics
Артикул: 542432
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 33А; Idm: 200А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
638.80 грн
3+
427.45 грн
7+
404.41 грн
600+
401.24 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
33А
Опір в стані провідності
45мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
330Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
72,5нКл
Технологія
MDmesh™ M6
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
200А
Додаткова інформація: Маса брутто: 3 g