0 0 0
  8. STY112N65M5

Транзистори з каналом N THT STY112N65M5

 
STY112N65M5
 
STMicroelectronics
Артикул: 080227
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; польовий; 650В; 61А; 625Вт; MAX247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 219.88 грн
2+
2 099.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
MAX247(1639667)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
61А(1479406)
Опір в стані провідності
22мОм(1441360)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
625Вт(1741891)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
MDmesh™ V(1827832)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 5,115 g
 
Транзистори з каналом N THT STY112N65M5
STMicroelectronics
Артикул: 080227
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; польовий; 650В; 61А; 625Вт; MAX247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 219.88 грн
2+
2 099.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
MAX247
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
61А
Опір в стані провідності
22мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
625Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
MDmesh™ V
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 5,115 g