0 0 0
  8. STY60NM50

Транзистори з каналом N THT STY60NM50

 
STY60NM50
 
STMicroelectronics
Артикул: 080232
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 37,8А; 560Вт; MAX247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 310.36 грн
2+
893.25 грн
4+
844.60 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 23 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
MAX247(1639667)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
37,8А(1628422)
Опір в стані провідності
50мОм(1441532)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
560Вт(1742076)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
MDmesh™(1611363)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 5,11 g
 
Транзистори з каналом N THT STY60NM50
STMicroelectronics
Артикул: 080232
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 37,8А; 560Вт; MAX247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 310.36 грн
2+
893.25 грн
4+
844.60 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 23 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
MAX247
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
37,8А
Опір в стані провідності
50мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
560Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
MDmesh™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 5,11 g