0 0 0
  7. BYG20J R3G

Універсальні діоди SMD BYG20J R3G

 
BYG20J R3G
 
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 289647
Діод: випрямний; SMD; 600В; 1,5А; 75нс; SMA; Ufmax: 1,4В; Ifsm: 30А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
13.08 грн
25+
11.65 грн
100+
10.29 грн
104+
9.50 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Кількість: 135 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
TAIWAN SEMICONDUCTOR(42)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SMA(1617640)
Зворотна напруга макс.
0,6кВ(1644524)
Пряма напруга макс.
1,4В(1439875)
Струм провідності
1,5А(1439534)
Структура напівпровідника
одиночний діод(1612600)
Час готовності
75нс(1440086)
Струм в імпульсі макс.
30А(1439579)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Тип діода
випрямний(1439519)
Властивості напівпровідникових елементів
glass passivated(1617588)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,098 g
 
Універсальні діоди SMD BYG20J R3G
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 289647
Діод: випрямний; SMD; 600В; 1,5А; 75нс; SMA; Ufmax: 1,4В; Ifsm: 30А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
13.08 грн
25+
11.65 грн
100+
10.29 грн
104+
9.50 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Кількість: 135 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SMA
Зворотна напруга макс.
0,6кВ
Пряма напруга макс.
1,4В
Струм провідності
1,5А
Структура напівпровідника
одиночний діод
Час готовності
75нс
Струм в імпульсі макс.
30А
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Тип діода
випрямний
Властивості напівпровідникових елементів
glass passivated
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,098 g