0 0 0
  7. ES1DL R2G

Універсальні діоди SMD ES1DL R2G

 
ES1DL R2G
 
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 289650
Діод: випрямний; SMD; 200В; 1А; 35нс; subSMA; Ufmax: 0,95В; Ifsm: 30А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
9.73 грн
25+
8.53 грн
100+
7.50 грн
145+
6.88 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TAIWAN SEMICONDUCTOR(42)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
subSMA(1497105)
Ємність
10пФ(1437234)
Зворотна напруга макс.
200В(1439532)
Пряма напруга макс.
0,95В(1591593)
Струм провідності
1А(1439523)
Структура напівпровідника
одиночний діод(1612600)
Час готовності
35нс(1440096)
Струм в імпульсі макс.
30А(1439579)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Тип діода
випрямний(1439519)
Властивості напівпровідникових елементів
glass passivated(1617588) ultrafast switching(1497038)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,039 g
 
Універсальні діоди SMD ES1DL R2G
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 289650
Діод: випрямний; SMD; 200В; 1А; 35нс; subSMA; Ufmax: 0,95В; Ifsm: 30А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
9.73 грн
25+
8.53 грн
100+
7.50 грн
145+
6.88 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
subSMA
Ємність
10пФ
Зворотна напруга макс.
200В
Пряма напруга макс.
0,95В
Струм провідності
1А
Структура напівпровідника
одиночний діод
Час готовності
35нс
Струм в імпульсі макс.
30А
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Тип діода
випрямний
Властивості напівпровідникових елементів
glass passivated
Властивості напівпровідникових елементів
ultrafast switching
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,039 g