Транзистори з каналом N SMD TSM089N08LCR RLG

 
TSM089N08LCR RLG
 
Артикул: 556796
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 12А; 17Вт; PDFN56U
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
138.98 грн
5+
125.48 грн
10+
108.80 грн
25+
102.45 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
TAIWAN SEMICONDUCTOR(42)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PDFN56U(1912182)
Напруга сток-джерело
80В(1441260)
Струм стока
12А(1441370)
Опір в стані провідності
8,9мОм(1479395)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
17Вт(1740767)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
90нКл(1479429)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори з каналом N SMD TSM089N08LCR RLG
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 556796
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 12А; 17Вт; PDFN56U
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
138.98 грн
5+
125.48 грн
10+
108.80 грн
25+
102.45 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
PDFN56U
Напруга сток-джерело
80В
Струм стока
12А
Опір в стані провідності
8,9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
17Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
90нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g