0 0 0
  7. TSM110NB04DCR RLG

Транзистори багатоканальні TSM110NB04DCR RLG

 
TSM110NB04DCR RLG
 
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 553744
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 10А; 9,6Вт; PDFN56
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
99.27 грн
5+
89.74 грн
13+
77.83 грн
35+
73.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TAIWAN SEMICONDUCTOR(42)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PDFN56(1912181)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
10А(1441290)
Опір в стані провідності
11мОм(1441289)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
9,6Вт(1741912)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
25нКл(1479056)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори багатоканальні TSM110NB04DCR RLG
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 553744
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 10А; 9,6Вт; PDFN56
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
99.27 грн
5+
89.74 грн
13+
77.83 грн
35+
73.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
PDFN56
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
10А
Опір в стані провідності
11мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
9,6Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
25нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g