0 0 0
  8. TSM60NB190CI C0G

Транзистори з каналом N THT TSM60NB190CI C0G

 
TSM60NB190CI C0G
 
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 557210
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,8А; 33,8Вт; TO220FP
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
244.18 грн
5+
219.60 грн
6+
190.27 грн
15+
179.96 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TAIWAN SEMICONDUCTOR(42)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
10,8А(1604656)
Опір в стані провідності
0,19Ом(1492557)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
33,8Вт(1741927)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
31нКл(1479192)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT TSM60NB190CI C0G
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 557210
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,8А; 33,8Вт; TO220FP
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
244.18 грн
5+
219.60 грн
6+
190.27 грн
15+
179.96 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
10,8А
Опір в стані провідності
0,19Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
33,8Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
31нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g