0 0 0
  8. TSM60NB1R4CH C5G

Транзистори з каналом N THT TSM60NB1R4CH C5G

 
TSM60NB1R4CH C5G
 
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 557212
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,8А; 28,4Вт; IPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
66.59 грн
5+
59.46 грн
20+
51.53 грн
53+
48.36 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TAIWAN SEMICONDUCTOR(42)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
IPAK(1479005)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
1,8А(1492260)
Опір в стані провідності
1,4Ом(1441598)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
28,4Вт(1741849)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
7,12нКл(1912176)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N THT TSM60NB1R4CH C5G
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 557212
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,8А; 28,4Вт; IPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
66.59 грн
5+
59.46 грн
20+
51.53 грн
53+
48.36 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
IPAK
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
1,8А
Опір в стані провідності
1,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
28,4Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
7,12нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g