Транзистори з каналом N THT TSM60NB900CH C5G

 
TSM60NB900CH C5G
 
Артикул: 557218
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,4А; 36,8Вт; IPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
81.66 грн
5+
72.94 грн
16+
63.42 грн
43+
60.25 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
TAIWAN SEMICONDUCTOR(42)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
IPAK(1479005)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
2,4А(1441489)
Опір в стані провідності
0,9Ом(1492457)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
36,8Вт(1912177)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
9,6нКл(1479383)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N THT TSM60NB900CH C5G
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 557218
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,4А; 36,8Вт; IPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
81.66 грн
5+
72.94 грн
16+
63.42 грн
43+
60.25 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
IPAK
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
2,4А
Опір в стані провідності
0,9Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
36,8Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
9,6нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g