0 0 0
  8. TSM80N1R2CH C5G

Транзистори з каналом N THT TSM80N1R2CH C5G

 
TSM80N1R2CH C5G
 
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 557229
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,4А; 110Вт; IPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
139.53 грн
5+
125.26 грн
10+
108.61 грн
25+
102.27 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TAIWAN SEMICONDUCTOR(42)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
IPAK(1479005)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
3,4А(1479117)
Опір в стані провідності
1,2Ом(1441394)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
110Вт(1701955)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
19,4нКл(1775238)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N THT TSM80N1R2CH C5G
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 557229
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,4А; 110Вт; IPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
139.53 грн
5+
125.26 грн
10+
108.61 грн
25+
102.27 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
IPAK
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
3,4А
Опір в стані провідності
1,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
110Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
19,4нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g