Транзистори з каналом N SMD TSM80N1R2CP ROG

 
TSM80N1R2CP ROG
 
Артикул: 556851
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,4А; 110Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
223.75 грн
5+
201.53 грн
6+
176.93 грн
16+
166.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
TAIWAN SEMICONDUCTOR(42)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
3,4А(1479117)
Опір в стані провідності
1,2Ом(1441394)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
110Вт(1701955)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
19,4нКл(1775238)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD TSM80N1R2CP ROG
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 556851
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,4А; 110Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
223.75 грн
5+
201.53 грн
6+
176.93 грн
16+
166.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
3,4А
Опір в стані провідності
1,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
110Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
19,4нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g