0 0 0
  8. CSD13302WT

Транзистори з каналом N SMD CSD13302WT

 
CSD13302WT
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 547696
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 1,6А; Idm: 29А; 1,8Вт; DSBGA4
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
62.15 грн
5+
51.00 грн
24+
42.87 грн
25+
42.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DSBGA4(1499621)
Напруга сток-джерело
12В(1441274)
Струм стока
1,6А(1479099)
Опір в стані провідності
25,8мОм(1908855)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1,8Вт(1449543)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Технологія
NexFET™(1693688)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
29А(1810501)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,001 g
 
Транзистори з каналом N SMD CSD13302WT
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 547696
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 1,6А; Idm: 29А; 1,8Вт; DSBGA4
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
62.15 грн
5+
51.00 грн
24+
42.87 грн
25+
42.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Корпус
DSBGA4
Напруга сток-джерело
12В
Струм стока
1,6А
Опір в стані провідності
25,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1,8Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Технологія
NexFET™
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
29А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,001 g