0 0 0
  8. CSD17308Q3T

Транзистори з каналом N SMD CSD17308Q3T

 
CSD17308Q3T
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 317823
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
68.33 грн
10+
56.89 грн
22+
46.24 грн
60+
43.78 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 218 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
VSON-CLIP8(1814809)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
50А(1441504)
Опір в стані провідності
9,4мОм(1479219)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
2,7Вт(1741762)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Розміри
3,3x3,3мм(1814799)
Заряд затвора
3,9нКл(1642906)
Технологія
NexFET™(1693688)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
167А(1950987)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,199 g
 
Транзистори з каналом N SMD CSD17308Q3T
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 317823
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
68.33 грн
10+
56.89 грн
22+
46.24 грн
60+
43.78 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 218 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Корпус
VSON-CLIP8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
50А
Опір в стані провідності
9,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
2,7Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Розміри
3,3x3,3мм
Заряд затвора
3,9нКл
Технологія
NexFET™
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
167А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,199 g