0 0 0
  8. CSD19501KCS

Транзистори з каналом N THT CSD19501KCS

 
CSD19501KCS
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 078092
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 100А; 217Вт; TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
163.50 грн
3+
151.53 грн
9+
114.85 грн
24+
108.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 201 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
80В(1441260)
Струм стока
100А(1479496)
Опір в стані провідності
5,5мОм(1441296)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
217Вт(1741759)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
38нКл(1479182)
Технологія
NexFET™(1693688)
Товщина радіатора
1,14...1,4мм(1443476)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,955 g
 
Транзистори з каналом N THT CSD19501KCS
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 078092
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 100А; 217Вт; TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
163.50 грн
3+
151.53 грн
9+
114.85 грн
24+
108.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 201 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
80В
Струм стока
100А
Опір в стані провідності
5,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
217Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
38нКл
Технологія
NexFET™
Товщина радіатора
1,14...1,4мм
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,955 g