0 0 0
  8. CSD19506KCS

Транзистори з каналом N THT CSD19506KCS

 
CSD19506KCS
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 078095
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 150А; 375Вт; TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
407.54 грн
3+
377.24 грн
4+
290.31 грн
10+
274.35 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 24 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
80В(1441260)
Струм стока
150А(1441539)
Опір в стані провідності
2мОм(1479588)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
375Вт(1741741)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
0,12мкКл(1950533)
Технологія
NexFET™(1693688)
Товщина радіатора
1,14...1,4мм(1443476)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,98 g
 
Транзистори з каналом N THT CSD19506KCS
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 078095
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 150А; 375Вт; TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
407.54 грн
3+
377.24 грн
4+
290.31 грн
10+
274.35 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 24 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
80В
Струм стока
150А
Опір в стані провідності
2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
375Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
0,12мкКл
Технологія
NexFET™
Товщина радіатора
1,14...1,4мм
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,98 g