Транзистори з каналом N SMD CSD19506KTTT

 
CSD19506KTTT
 
Артикул: 547726
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
457.65 грн
4+
318.60 грн
9+
301.13 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
80В(1441260)
Струм стока
200А(1441529)
Опір в стані провідності
2,8мОм(1479281)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
375Вт(1741741)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Технологія
NexFET™(1693688)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
400А(1714521)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,2 g
 
Транзистори з каналом N SMD CSD19506KTTT
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 547726
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
457.65 грн
4+
318.60 грн
9+
301.13 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
80В
Струм стока
200А
Опір в стані провідності
2,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
375Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Технологія
NexFET™
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
400А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,2 g