0 0 0
  8. CSD19538Q3AT

Транзисторы с каналом N SMD CSD19538Q3AT

 
CSD19538Q3AT
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 075909
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 15А; 23Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
70.83 грн
5+
64.22 грн
22+
46.83 грн
25+
46.75 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 723 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
VSONP8(1814810)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
15А(1441590)
Опір в стані провідності
49мОм(1625136)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
23Вт(1507402)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Розміри
3,3x3,3мм(1814799)
Заряд затвора
4,3нКл(1479177)
Технологія
NexFET™(1693688)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,114 g
 
Транзисторы с каналом N SMD CSD19538Q3AT
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 075909
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 15А; 23Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
70.83 грн
5+
64.22 грн
22+
46.83 грн
25+
46.75 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 723 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Корпус
VSONP8
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
15А
Опір в стані провідності
49мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
23Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Розміри
3,3x3,3мм
Заряд затвора
4,3нКл
Технологія
NexFET™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,114 g