Транзистори з каналом P SMD CSD23203WT

 
CSD23203WT
 
Артикул: 622803
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -8В; -3А; Idm: -54А; 0,75Вт; DSBGA6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
65.15 грн
5+
58.48 грн
21+
47.75 грн
57+
45.13 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DSBGA6(1494784)
Напруга сток-джерело
-8В(1441472)
Струм стока
-3А(1492259)
Опір в стані провідності
53мОм(1599741)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
0,75Вт(1742053)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Технологія
NexFET™(1693688)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-54А(1908865)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,001 g
 
Транзистори з каналом P SMD CSD23203WT
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 622803
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -8В; -3А; Idm: -54А; 0,75Вт; DSBGA6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
65.15 грн
5+
58.48 грн
21+
47.75 грн
57+
45.13 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Корпус
DSBGA6
Напруга сток-джерело
-8В
Струм стока
-3А
Опір в стані провідності
53мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,75Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Технологія
NexFET™
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-54А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,001 g