0 0 0
  8. CSD25304W1015T

Транзистори з каналом P SMD CSD25304W1015T

 
CSD25304W1015T
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 622777
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; Idm: -41А; 0,75Вт; DSBGA6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
67.50 грн
5+
61.47 грн
21+
48.52 грн
57+
45.82 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DSBGA6(1494784)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-3А(1492259)
Опір в стані провідності
92мОм(1610015)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
0,75Вт(1742053)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Технологія
NexFET™(1693688)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-41А(1908869)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,001 g
 
Транзистори з каналом P SMD CSD25304W1015T
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 622777
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; Idm: -41А; 0,75Вт; DSBGA6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
67.50 грн
5+
61.47 грн
21+
48.52 грн
57+
45.82 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Корпус
DSBGA6
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-3А
Опір в стані провідності
92мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,75Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Технологія
NexFET™
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-41А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,001 g