0 0 0
  8. CSD25402Q3AT

Транзистори з каналом P SMD CSD25402Q3AT

 
CSD25402Q3AT
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 622814
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -35А; Idm: -148А; 69Вт; VSONP8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
66.74 грн
5+
59.75 грн
21+
48.78 грн
56+
46.16 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
VSONP8(1814810)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-35А(1733903)
Опір в стані провідності
0,3Ом(1492261)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Використання
automotive industry(1821825)
Потужність розсіювання
69Вт(1708603)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Технологія
NexFET™(1693688)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-148А(1908870)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,001 g
 
Транзистори з каналом P SMD CSD25402Q3AT
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 622814
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -35А; Idm: -148А; 69Вт; VSONP8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
66.74 грн
5+
59.75 грн
21+
48.78 грн
56+
46.16 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Корпус
VSONP8
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-35А
Опір в стані провідності
0,3Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Використання
automotive industry
Потужність розсіювання
69Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Технологія
NexFET™
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-148А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,001 g