0 0 0
  7. CSD75208W1015T

Транзистори багатоканальні CSD75208W1015T

 
CSD75208W1015T
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 555981
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -1,6А; Idm: -22А; 0,75Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
65.69 грн
5+
58.58 грн
21+
49.23 грн
56+
46.60 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DSBGA6(1494784)
Структура напівпровідника
спільне джерело(1694449)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-1,6А(1492339)
Опір в стані провідності
0,15Ом(1492413)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Потужність розсіювання
0,75Вт(1742053)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
NexFET™(1693688)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-22А(1741674)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,001 g
 
Транзистори багатоканальні CSD75208W1015T
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 555981
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -1,6А; Idm: -22А; 0,75Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
65.69 грн
5+
58.58 грн
21+
49.23 грн
56+
46.60 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Корпус
DSBGA6
Структура напівпровідника
спільне джерело
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-1,6А
Опір в стані провідності
0,15Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,75Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
NexFET™
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-22А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,001 g