0 0 0
  7. CSD85301Q2T

Транзистори багатоканальні CSD85301Q2T

 
CSD85301Q2T
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 547730
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5А; Idm: 26А; 2,3Вт; WSON6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
83.39 грн
10+
68.38 грн
19+
51.86 грн
50+
51.78 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
WSON6(1814808)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
5А(1441380)
Опір в стані провідності
99мОм(1599114)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Використання
automotive industry(1821825)
Потужність розсіювання
2,3Вт(1449544)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
NexFET™(1693688)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
26А(1810486)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,001 g
 
Транзистори багатоканальні CSD85301Q2T
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 547730
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5А; Idm: 26А; 2,3Вт; WSON6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
83.39 грн
10+
68.38 грн
19+
51.86 грн
50+
51.78 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Корпус
WSON6
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
5А
Опір в стані провідності
99мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Використання
automotive industry
Потужність розсіювання
2,3Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
NexFET™
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
26А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,001 g