0 0 0
  7. CSD85302LT

Транзистори багатоканальні CSD85302LT

 
CSD85302LT
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 546678
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 1,7Вт; PICOSTAR4
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
68.29 грн
5+
61.94 грн
20+
51.14 грн
54+
48.36 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PICOSTAR4(1908879)
Структура напівпровідника
загальний дренаж(1609794)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Опір в стані провідності
36мОм(1479276)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
1,7Вт(1515706)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
NexFET™(1693688)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,001 g
 
Транзистори багатоканальні CSD85302LT
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 546678
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 1,7Вт; PICOSTAR4
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
68.29 грн
5+
61.94 грн
20+
51.14 грн
54+
48.36 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Корпус
PICOSTAR4
Структура напівпровідника
загальний дренаж
Напруга сток-джерело
20В
Опір в стані провідності
36мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
1,7Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
NexFET™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,001 g