0 0 0
  7. ISO5452DW

Драйвери MOSFET/IGBT ISO5452DW

 
ISO5452DW
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 472975
IC: driver; півмісток IGBT,півмісток MOSFET; SO16-W; -5÷2,5А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
361.29 грн
3+
325.40 грн
4+
256.01 грн
10+
255.21 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Робоча температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SO16-W(1443874)
Напруга живлення
15...30В DC(1494433)
Вихідний струм
-5...2,5А(1839167)
Тип інтегральної мікросхеми
driver(1443705)
Час наростання імпульсу
35нс(1605693)
Час спадання імпульсу
37нс(1839168)
Кількість каналів
2(1443907)
Напруга ізоляції
5,7кВ(1815347)
Вхідна напруга
2,25...5,5В(1502149)
Властивості інтегральних мікросхем
гальванічне відокремлення(1706586)
Вид упаковки
туба(1443467)
Захист
зростання напруги(1600603)
Вид об'єднаної схеми
current sense(1503921) контролер затворів(1617856)
Топологія
півмісток MOSFET(1612559) півмісток IGBT(1612529)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,43 g
 
Драйвери MOSFET/IGBT ISO5452DW
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 472975
IC: driver; півмісток IGBT,півмісток MOSFET; SO16-W; -5÷2,5А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
361.29 грн
3+
325.40 грн
4+
256.01 грн
10+
255.21 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Робоча температура
-40...125°C
Корпус
SO16-W
Напруга живлення
15...30В DC
Вихідний струм
-5...2,5А
Тип інтегральної мікросхеми
driver
Час наростання імпульсу
35нс
Час спадання імпульсу
37нс
Кількість каналів
2
Напруга ізоляції
5,7кВ
Вхідна напруга
2,25...5,5В
Властивості інтегральних мікросхем
гальванічне відокремлення
Вид упаковки
туба
Захист
зростання напруги
Вид об'єднаної схеми
current sense
Вид об'єднаної схеми
контролер затворів
Топологія
півмісток MOSFET
Топологія
півмісток IGBT
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,43 g