0 0 0
  7. ISO5852SDW

Драйвери MOSFET/IGBT ISO5852SDW

 
ISO5852SDW
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 472977
IC: driver; півмісток IGBT,півмісток MOSFET; SO16-W; -5÷2,5А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
597.36 грн
3+
410.73 грн
7+
388.40 грн
40+
386.81 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 120 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Робоча температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SO16-W(1443874)
Напруга живлення
15...30В DC(1494433)
Вихідний струм
-5...2,5А(1839167)
Тип інтегральної мікросхеми
driver(1443705)
Час наростання імпульсу
35нс(1605693)
Час спадання імпульсу
37нс(1839168)
Кількість каналів
2(1443907)
Напруга ізоляції
5,7кВ(1815347)
Вхідна напруга
2,25...5,5В(1502149)
Властивості інтегральних мікросхем
гальванічне відокремлення(1706586)
Вид упаковки
туба(1443467)
Захист
зростання напруги(1600603)
Вид об'єднаної схеми
current sense(1503921) контролер затворів(1617856)
Топологія
півмісток MOSFET(1612559) півмісток IGBT(1612529)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,44 g
 
Драйвери MOSFET/IGBT ISO5852SDW
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 472977
IC: driver; півмісток IGBT,півмісток MOSFET; SO16-W; -5÷2,5А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
597.36 грн
3+
410.73 грн
7+
388.40 грн
40+
386.81 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 120 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Робоча температура
-40...125°C
Корпус
SO16-W
Напруга живлення
15...30В DC
Вихідний струм
-5...2,5А
Тип інтегральної мікросхеми
driver
Час наростання імпульсу
35нс
Час спадання імпульсу
37нс
Кількість каналів
2
Напруга ізоляції
5,7кВ
Вхідна напруга
2,25...5,5В
Властивості інтегральних мікросхем
гальванічне відокремлення
Вид упаковки
туба
Захист
зростання напруги
Вид об'єднаної схеми
current sense
Вид об'єднаної схеми
контролер затворів
Топологія
півмісток MOSFET
Топологія
півмісток IGBT
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,44 g